放射線効果検出方法および装置

专利摘要:
本文献は、特に、ソリッド・ステート電子回路およびセンサを備えた植込み型装置を論じる。センサは、イオン化放射線に対するソリッド・ステート電子回路の露出を検出し、イオン化放射線への露出によるソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット（非ＳＥＵ）効果の指標を生成するように構成されている。
公开号:JP2011510741A
申请号:JP2010545023
申请日:2009-01-29
公开日:2011-04-07
发明作者:イー． スターマン、ジェフリー；スタッブス、スコット；アール． マイリ、キース；ジェイ． リンダー、ウィリアム
申请人:カーディアック ペースメイカーズ， インコーポレイテッド；
IPC主号:A61N1-08

专利说明:

[0001] ２００８年１月３０日出願の米国仮特許出願第６１／０２４，８２０号に対する優先権の利益をここに主張し、その全体を本願明細書に援用する。]
背景技術

[0002] 植込み型医療用デバイス（ＩＭＤ）としては、患者に移植するように設計されたデバイスが挙げられる。これらのデバイスのいくつかの例としては、植込み型ペースメーカなどの心機能管理（ＣＦＭ）デバイス、植込み型除細動器（ＩＣＤ）、心臓再同期治療デバイス（ＣＲＴ）、およびこのような能力の組合せを含むデバイスが挙げられる。デバイスは、電気またはその他の治療を使用して患者を処置するために、または患者の状態の内部監視により医師または介護士が患者の診断を行うのを助けるために使用することができる。デバイスは、患者内の心臓の電気的動作を監視するために、１つまたは複数のセンス増幅器と連通している１つまたは複数の電極を備えることができ、大抵、１つまたは複数の他の患者内部パラメータを監視するために１つまたは複数のセンサを備えることができる。植込み型医療用デバイスの他の例としては、植込み型診断デバイス、植込み型薬物送達システム、または神経刺激能力を備えた植込み型デバイスが挙げられる。]
発明が解決しようとする課題

[0003] ＣＦＭデバイスを付けた患者は、移植処置の後に放射線に曝される可能性がある。患者は、診断用Ｘ線（例えば、コンピュータ断層撮影すなわちＣＴスキャン）、または放射線治療（例えば、ガン治療として）を必要とする併存疾患を持っている可能性がある。医療技術が改善されるにつれて、ＩＭＤを付けた患者はより長く生きられるようになり、このような放射線に曝される可能性が大きくなる。放射線は、植込み型ＣＦＭデバイスの変化を誘発し、その動作に悪影響を与える可能性がある。]
[0004] この文献は概して、患者または被験者の血行動態パラメータを監視するシステム、デバイスおよび方法に関する。]
課題を解決するための手段

[0005] 実施例１では、装置は、ソリッド・ステート（ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ）電子回路およびセンサを備えている。センサは、イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の露出を検出し、イオン化放射線への露出によるソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット（非ＳＥＵ）効果の指標を生成するように構成されている。]
[0006] 実施例２では、実施例１の装置は任意選択で、イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合されたコントローラ回路を備えている。コントローラ回路は、イオン化放射線露出センサによって生成された指標からソリッド・ステート電子回路への効果を定量化するように構成されている。]
[0007] 実施例３では、実施例１および２のコントローラ回路は任意選択で、非ＳＥＵ効果の指標にしたがって、装置の動作を変更するように構成されている。
実施例４では、実施例１〜３の装置は、装置内の複数の異なる位置で異なる機能を行うように構成された複数のソリッド・ステート電子回路と、異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えている。コントローラ回路は、イオン化放射線露出センサが、その機能に対応する位置でのソリッド・ステート電子回路への永久的な非ＳＥＵ効果を示す場合、装置の機能を抑制または停止するように構成されている。]
[0008] 実施例５では、実施例１〜４の装置は任意選択で、イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合された比較回路と、コントローラ回路とを備えており、イオン化放射線露出センサはテスト・トランジスタを備えており、コントローラ回路は、比較回路が放射線への露出後に、テスト・トランジスタの動作曲線のシフトを示した場合、装置の動作を変更するように構成されている。]
[0009] 実施例６では、実施例１〜５のテスト・トランジスタは任意選択で、テスト電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を備えており、比較回路は、テストＦＥＴに印加される特定のゲート・ソース電圧に対するドレイン・ソース電流のシフトを示すように構成されている。]
[0010] 実施例７では、実施例１〜６の装置は任意選択で、イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合された比較回路と、コントローラ回路とを備えており、イオン化放射線露出センサはテスト接合ダイオードを備えており、コントローラ回路は、比較回路が放射線への露出後に、テスト接合ダイオードの動作曲線のシフトを示した場合、装置の動作を変更するように構成されている。]
[0011] 実施例８では、実施例１〜７のイオン化放射線露出センサは任意選択で、バイポーラ接合トランジスタを含むテスト増幅回路を備えている。比較回路は任意選択で、増幅回路に加えられる特定の入力信号に対するテスト増幅回路の信号ゲインのシフトを示すように構成されている。]
[0012] 実施例９では、実施例１〜８の装置は任意選択で、装置内の複数の異なる位置に配置された複数のソリッド・ステート電子回路と、異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えている。イオン化放射線露出センサは、異なる動作パラメータを監視するために異なる回路構造を備えており、コントローラ回路は、監視される異なる動作パラメータを使用して、ソリッド・ステート電子回路への効果を定量化するように構成されている。]
[0013] 実施例１０では、実施例１〜９の放射線露出センサは任意選択で、ＰＮ接続ダイオード・テスト回路、ショットキー接合ダイオード・テスト回路、Ｎ型ＦＥＴテスト回路、Ｐ型ＦＥＴテスト回路、ＮＰＮバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路およびＰＮＰバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路の少なくとも１つを備えている。]
[0014] 実施例１１では、実施例１〜１０のセンサは任意選択で、イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の蓄積露出による、ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成するように構成されたイオン化放射線蓄積露出センサを備えている。]
[0015] 実施例１２では、実施例１〜１１の装置は任意選択で、コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたイオン化放射線量率センサを備えており、コントローラ回路は、流束イオン化放射線が流束イオン化放射線閾値を超えたことを放射線率センサが示した場合に、イオン化放射線蓄積露出センサからの指標を空白にするように構成されている。]
[0016] 実施例１３では、実施例１〜１２のセンサは任意選択で、流束イオン化放射線閾値を超えた流束イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の露出によるソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成するように構成されたイオン化放射線量率センサを備えている。]
[0017] 実施例１４では、実施例１〜１３の装置は任意選択で、心機能管理（ＣＦＭ）デバイスを備えており、コントローラ回路は、イオン化放射線量率センサが高い流束イオン化放射
線を検出した場合に、ＣＦＭデバイスの任意の感知特性を空白にするように構成されている。]
[0018] 実施例１５では、実施例１〜１４のイオン化放射線量率センサは任意選択で、接合ダイオードまたはバイポーラ接合トランジスタの少なくとも一方を備えている。
実施例１６では、実施例１〜１５の装置は任意選択で、ＣＦＭデバイスを備えている。コントローラ回路は任意選択で、非ＳＥＵ効果の指標にしたがって、Ｖ−Ｖ間隔が心房イベントによる心室のペーシングを調節することなく、特定の心室間隔を超えた場合に心室にペーシング治療を行い、心室に起こる任意の真性心臓減極イベントに関係なくペーシング治療を行うモードにＣＦＭデバイスを移行するように構成されている。]
[0019] 実施例１７では、実施例１〜１６の装置は任意選択で、コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたリード・オンリ・メモリ（ＲＯＭ）を備えており、コントローラ回路は、非ＳＥＵ効果の指標によって、コントローラ回路がＲＯＭ内に含まれたプログラム指示を行うのみであるモードに装置を移行するように構成されている。]
[0020] 実施例１８では、実施例１〜１７の装置は任意選択で、コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたリセット回路を備えており、コントローラ回路は非ＳＥＵ効果の指標にしたがって、装置へのリセットを開始するように構成されている。]
[0021] 実施例１９では、実施例１〜１８のソリッド・ステート電子回路は任意選択で、集積回路（ＩＣ）を備えている。イオン化放射線露出センサは任意選択で、ＩＣの第１の動作パラメータのシフトを示すように構成されており、コントローラ回路は任意選択で、第１の動作パラメータのシフトに対応するように、ＩＣの第２の動作パラメータを変更するように構成されている。]
[0022] 実施例２０では、実施例１〜１９の装置は任意選択で、複数の集積回路（ＩＣ）を備えており、各ＩＣはコントローラ回路に信号伝達可能に結合されたイオン化放射線露出センサを備えており、ＩＣは異なるＩＣ工程を使用して製造される。]
[0023] 実施例２１では、実施例１〜２０の装置は任意選択で、コントローラ回路に信号伝達可能に結合され、非ＳＥＵ効果の指標を記憶するように構成されたメモリと、コントローラ回路に信号伝達可能に結合され、外部ユニットと通信するように構成された通信回路とを備え、コントローラ回路は、外部ユニットに対する非ＳＥＵ効果の指標を通信するように構成されている。]
[0024] 実施例２２では、実施例１〜２１の装置は任意選択で、複数のイオン化放射線露出センサを備えている。イオン化放射線露出センサは、様々な配向のイオン化放射線に対する露出を検出するように、様々な配向で配置されている。]
[0025] 実施例２３では、実施例１〜２２の装置は任意選択で、ＣＦＭデバイス、神経刺激デバイス、薬物送達デバイス、または診断デバイスの少なくとも１つに含まれる。
実施例２４では、方法は、イオン化放射線に対する植込み型医療用デバイスのソリッド・ステート電子回路の露出を検出する工程と、イオン化放射線への露出によるソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット（非ＳＥＵ）効果の指標を生成する工程とを含んでいる。]
[0026] 実施例２５では、実施例２４のイオン化放射線への露出を検出する工程は任意選択で、イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の蓄積露出による、ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成するように構成されたイオン化放射線蓄積露出セ
ンサを使用して、露出を検出する工程を含んでいる。]
[0027] 実施例２６では、実施例２４および２５のイオン化放射線への露出を検出する工程は任意選択で、ソリッド・ステート電子回路が流束イオン化放射線閾値を超えた流束イオン化放射線に曝された場合に、ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成するイオン化放射線量率センサを使用して露出を検出する工程を含んでいる。]
[0028] 実施例２７では、実施例２４〜２６の方法は任意選択で、外部デバイスへの非ＳＥＵ効果に関する履歴データを通信する工程を含んでいる。
実施例２８では、実施例２４〜２７の方法は任意選択で、ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標にしたがって、ＩＭＤの動作を変更する工程を含んでいる。]
[0029] この要約は、本特許出願の主題の概要を提供することを意図したものである。本発明の排他的または包括的説明を提供することを意図したものではない。詳細な説明は、本特許出願に関するさらなる情報を提供するために含まれる。]
[0030] 必ずしも等尺度で描かれていない図面では、同様の番号は異なる図において同様の構成部品を説明し得る。異なる文字の接尾辞を有する同様の番号は、同様の構成部品の異なる例を示し得る。図面は全体的に、限定的ではなく例として、本文献で論じられる様々な実施形態を示している。]
図面の簡単な説明

[0031] ＩＭＤを使用するシステムの一部分の実施例の図。
心臓信号を感知するために血管内リード線を使用しないＩＭＤの実施例を示す図。
心臓信号を感知するために血管内リード線を使用しないＩＭＤの実施例を示す図。
ＩＭＤ上のイオン化放射線の非ＳＥＵ効果を検出する方法の実施形態のフロー図。
ＩＭＤの一部分の実施形態のブロック図。
イオン化放射線露出センサの実施例を示す図。
イオン化放射線への露出前および露出後のＮＭＯＳトランジスタに対する理論的電圧／電流曲線の実施例を示す図。
イオン化放射線量率センサの実施例を示す図。
イオン化放射線量率センサの別の実施例を示す図。
別のＩＭＤの一部分の別の実施形態のブロック図。]
実施例

[0032] 植込み型医療用デバイス（ＩＭＤ）は、本明細書に記載した特性、構造、方法またはその組合せの１つまたは複数を含むことができる。例えば、心臓モニタまたは心臓刺激装置は、以下に説明する有利な特性および／または方法の１つまたは複数を含むように実施することができる。このようなモニタ、刺激装置、または他の植込み型または部分植込み型デバイスは、本明細書に記載する特性全てを含んでいる必要はなく、独自の構造および／または機能を与えるような選択した特性を含むように実施することができることを意図したものである。このようなデバイスは、様々な治療または診断機能を提供するように実施することができる。]
[0033] 図１は、ＩＭＤ１０５を使用するシステム１００の一実施例の一部分である。ＩＭＤ１０５の実施例としてはこれに限らないが、ペースメーカ、心臓除細動器、除細動器、心臓再同期治療（ＣＲＴ）デバイス、および１つまたは複数の神経刺激デバイス、薬物、薬物
送達システム、または他の治療を含むまたはこれと合わせて作動する心臓デバイスを含む他の心臓監視および治療送達デバイスが挙げられる。一実施例として、図示したシステム１００は、心不整脈を治療するために使用される。ＩＭＤ１０５は典型的には、患者または被験者の心臓に、１つまたは複数の心臓リード線１１０、１１５、１２５によって結合された電子ユニットを備えている。ＩＭＤ１０５の電子ユニットは典型的には、気密キャニスタまたは「缶」に入れられた構成部品を備えている。システム１００はまた典型的には、無線周波数（ＲＦ）を使用することによって、または１つまたは複数の他の遠隔方法になどによって、ＩＭＤ１０５と１つまたは複数の無線信号１８５によって通信させるＩＭＤプログラマまたは他の外部システム１９０を備えている。] 図１
[0034] 図示した実施例は、近接端１１１および遠位端１１３を有する右心房（ＲＡ）リード線１１０を含んでいる。近接端１１１は、ＩＭＤ１０５のヘッダ・コネクタ１０７に結合されている。遠位端１１３は、ＲＡの心房中隔内にまたはその近くに定置するように構成されている。ＲＡリード線１１０は、ＲＡ先端電極１１４ＡおよびＲＡリング電極１１４Ｂなどの、１対の双極電極を備えることができる。ＲＡ電極１１４Ａおよび１１４Ｂは、ＲＡ内にまたはその近くに定置するように遠位端１１３でリード本体に組み込まれ、それぞれリード本体内に延びる導体を通してＩＭＤ１０５に電気結合されている。ＲＡリード線は図では、心房中隔内に定置されるが、ＲＡリード線は、心耳、心房自由壁内またはその近く、または他の場所に定置することができる。]
[0035] 図示した実施例はまた、近接端１１７および遠位端１１９を有する右心室（ＲＶ）リード線１１５を含んでいる。近接端１１７は、ヘッダ・コネクタ１０７に結合されている。遠位端１１９は、ＲＶ内に定置されるように構成されている。ＲＶリード線１１５は、近接除細動電極１１６、遠位除細動電極１１８、ＲＶ先端電極１２０Ａ、およびＲＶリング電極１２０Ｂの１つまたは複数を含むことができる。除細動電極１１６は普通、ＲＡおよび／または上大静脈内への上室定置に適した位置などの、リード本体内に組み込まれている。除細動電極１１８は、ＲＶ内への定置などのために、遠位端１１９の近くでリード本体内に組み込まれる。ＲＶ電極１２０Ａおよび１２０Ｂは、双極電極対を形成することができ、普通は遠位端１１９でリード本体内に組み込まれる。電極１１６、１１８、１２０Ａおよび１２０Ｂはそれぞれ、リード本体内に延びる１つまたは複数の導体などを通して、ＩＭＤ１０５に電気結合されている。近接除細動電極１１６、遠位除細動電極１１８、またはＩＭＤ１０５の缶上に形成された電極により、心臓への電気的除細動または除細動パルスの送達が可能になる。]
[0036] ＲＶ先端電極１２０Ａ、ＲＶリング電極１２０Ｂ、またはＩＭＤ１０５の缶上に形成された電極により、ＲＶ脱分極を代表するＲＶ電気記録信号を感知し、ＲＶペーシング・パルスを送達することが可能になる。いくつかの実施例では、ＩＭＤは、感知した信号の増幅および／またはフィルタリングを行うためにセンス増幅回路を備えている。ＲＡ先端電極１１４Ａ、ＲＡリング電極１１４Ｂ、またはＩＭＤ１０５の缶上に形成された電極により、ＲＡ脱分極を代表するＲＡ電気記録信号を感知し、ＲＡペーシング・パルスを送達することが可能になる。感知およびペーシングにより、ＩＭＤ１０５は心房収縮のタイミングを調節することが可能になる。いくつかの実施例では、ＩＭＤ１０５は、ＲＡ内の電気信号を感知し、所望の房室（ＡＶ）遅延時間でＲＶをペーシングすることによって、心房性脱分極のタイミングに対する心室性脱分極のタイミングを調節することができる。]
[0037] 左心室（ＬＶ）リード線１２５は、近接端１２１および遠位端１２３を有する細長いリード本体を含む冠状動脈ペーシングまたは感知リード線を備えることができる。近接端１２１は、ヘッダ・コネクタ１０７に結合されている。遠位端１２３は、冠状静脈内に定置または挿入するように構成されている。ＬＶリード線１２５は、ＬＶリングまたは先端電極１２８ＡおよびＬＶリング電極１２８Ｂを備えることができる。ＬＶリード線１２５の
遠位部は、ＬＶ電極１２８Ａおよび１２８Ｂが冠状静脈内に定置されるように、冠状静脈洞または冠状静脈内に定置されるように構成されている。ＬＶ電極１２８Ａおよび１２８Ｂは、双極電極対を構成することができ、典型的には遠位端１２３でリード本体内に組み込まれる。それぞれの電極が、リード本体内に延びる１つまたは複数の導体などを通してＩＭＤ１０５に電気結合することができる。ＬＶ先端電極１２８Ａ、ＬＶリング電極１２８Ｂ、またはＩＭＤ１０５の缶上に形成された電極により、ＬＶ脱分極を代表するＬＶ電気記録信号を感知し、ＬＶペーシング・パルスを送達することが可能になる。]
[0038] ＩＭＤは、経静脈、心外膜電極（すなわち、胸郭内電極）、および／または缶、ヘッダ、および不関電極を含む皮下、非胸郭内電極、および皮下アレイまたはリード電極（すなわち、非胸郭内電極）を含む、様々な電極配置で構成することができる。いくつかのＩＭＤは、リード線のない電極を使用して心臓脱分極を代表する信号を感知することが可能である。]
[0039] 図２Ａ〜Ｂは、心臓信号を感知するために血管内リード線を使用しない、ＩＭＤ２００の一実施例を示している。図２Ａは、ＩＭＤ２００が電源および回路を保持するためにより厚い端部２１３を備えていることを示す。ＩＭＤ２００はまた、心臓信号の遠隔感知を行う電極２２５および２２７を備えている。電気的除細動および／または除細動は、電極２１５および２１７を通して行われる。図２Ｂは、患者内に位置決めされたＩＭＤ２００の一実施例を示している。] 図２Ａ 図２Ｂ 図３ 図４ 図５Ａ 図５Ｂ 図６ 図７ 図８
[0040] ＩＭＤは、その動作に悪影響を与える可能性がある診断または治療放射線量に曝される可能性がある。このタイプの放射線は、典型的にはＥＭＩフィルタを使用してＩＭＤ内で処理される、電磁妨害（ＥＭＩ）などの放射線と区別するために、イオン化放射線（例えば、放射性コバルトへの露出）と呼ぶことができる。]
[0041] 気密缶によって与えられる保護にも関わらず、イオン化放射線は内部半導体デバイスまで浸透する可能性がある。この浸透する放射線により、デバイスの動作に一時的変化または永久的変化（例えば、損傷）が生じる可能性がある。]
[0042] いくつかの一時的変化は、シングル・イベント・アップセット（ＳＥＵ）を含むことができる。典型的ＳＥＵは、メモリ（例えば、ランダム・アクセス・メモリすなわちＲＡＭ）を破損し、メモリ・エラーにつながる。例えば、メモリの半導体基板上に影響を与えるα粒子は、容量素子上の電荷として記憶されるデータを破損する電子正孔対を生成することができる。ＳＥＵは、放射線への露出中または露出後のメモリ検査により解決することができる。ＳＥＵを検出し修正するシステムおよび方法の一例が、米国特許出願公開第２００５０２１６０６３号（ホイムら（Ｈｏｙｍｅ ｅｔ ａｌ．）、「Ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｆｒｏｍ Ｍｅｍｏｒｙ Ｅｒｒｏｒｓ ｉｎ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｄｅｖｉｃｅ」）に記載されており、本明細書に参照としてその全体を援用する。]
[0043] 浸透する放射線により、ＩＭＤの半導体デバイスへの（ＳＥＵではない）他の変化を生じる可能性がある。これらの非ＳＥＵ変化（一時的または永久的）としては、放射線の合計蓄積量または放射線露出量率の結果である、半導体動作パラメータへのシフトが挙げられる。]
[0044] イオン化放射線の蓄積量は、半導体格子構造を損傷する可能性がある。この損傷は、特にバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）に影響を与える可能性がある小さなキャリア崩壊につながる可能性がある。損傷は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタを備えた、ｐ型ＭＯＳ（ＰＭＯＳ）トランジスタおよびｎ型チャネル（ＮＭＯＳ）トラン
ジスタを含む、金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）トランジスタに最初に影響を与える、接合インターフェイスでの捕捉電荷と酸化物捕捉電荷につながる可能性がある。半導体格子構造上の放射線の影響により、トランジスタ閾値電圧、またはトランジスタ・オフ状態漏電電流などの、動作パラメータのシフトにつながる可能性がある。また、ＣＭＯＳデバイスは、ＩＭＤの回路の大部分で使用することができ、したがってＣＭＯＳデバイス性能が大抵、全体のＩＭＤ性能を決める。ＣＭＯＳデバイスの性能の悪化は、ＩＭＤ感知能力の低下およびＩＭＤ寿命の減少として示すことができる。]
[0045] ＩＭＤ内に１つまたは複数の半導体動作パラメータを監視する１つまたは複数の回路を置くことによって、半導体デバイス上の合計量または線量率の効果を測定することができる。半導体デバイス上のイオン化放射線の効果が測定されると、ＩＭＤは、放射線効果に対処するように１つまたは複数の逆反応を実施することができる。]
[0046] 図３は、ＩＭＤ上のイオン化放射線の非ＳＥＵ効果を検出する方法３００の一実施形態のフロー図である。ブロック３０５では、センサはＩＭＤ内に組み込まれる。ＩＭＤは、ソリッド・ステート電子回路を備え、センサはイオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の露出を検出する。ソリッド・ステート電子回路は、ＩＭＤの機能を与えることができる、またはマルチ機能集積回路（ＩＣ）であり得る。ブロック３１０では、イオン化放射線への露出によるソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標が生成される。] 図３
[0047] 図４は、ＩＭＤ４００の一部分の一実施形態のブロック図である。ＩＭＤ４００は、ソリッド・ステート電子回路４０５およびセンサ４１０を備えている。センサは、イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の露出を検出し、イオン化放射線への露出によるソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標（例えば、電気センサ信号）を生成するように構成されている。いくつかの実施例では、ＩＭＤ４００は、イオン化放射線露出センサ４１０に信号伝達可能に結合されたコントローラ回路４１５を備えている。連通可能結合により、コントローラ回路４１５は、干渉回路が存在していても、電気信号をイオン化放射線露出センサ４１０と交換することが可能になる。コントローラ回路４１５は、イオン化放射線露出センサによって生成される指標によるソリッド・ステート電子回路への影響を定量化する。いくつかの実施例では、ソリッド・ステート電子回路４０５は、コントローラ回路４１５に含まれる。] 図４
[0048] コントローラ回路４１５は、デジタル信号プロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、マイクロプロセッサ、またはソフトウェアまたはファームウェア内で指示を解釈または実行する他のタイプのプロセッサを含むことができる。コントローラ回路４１５は、ハードウェア、ファームウェア、またはソフトウェアの任意の組合せを含むことができる。いくつかの実施例では、コントローラ回路４１５は、ハードウェア回路内で実施される状態マシーンまたはシーケンサを備えることができる。コントローラ回路４１５は、本明細書に記載した機能を行うための１つまたは複数のモジュールを備えることができる。モジュールとしては、ソフトウェア、ハードウェア、ファームウェア、またはその任意の組合せを含むことができる。例えば、モジュールは、コントローラ回路４１５上で実行するソフトウェア内の命令を含むことができる。多数の機能を１つまたは複数のモジュールによって行うことができる。]
[0049] いくつかの実施例では、イオン化放射線露出センサ４１０はテスト・トランジスタを含んでいる。図５Ａは、テストＮＭＯＳトランジスタを含む、イオン化放射線露出センサ５１０の一実施例を示している。図５Ｂは、イオン化放射線への露出前および露出後の、ＮＭＯＳトランジスタに対する２つの理論的（実データではない）電圧／電流（ＶＩ）曲線を示している。この曲線は、放射線露出による非ＳＥＵ効果が、オフ状態漏電電流の増加
および閾値電圧の減少を含むことを期待していることを示している。曲線に示されるドレイン・ソース電流（Ｉｄｓ）の減少により、図５Ａの回路は所与のＶｉｎに対するＶｏｕｔの減少を有する。したがって、Ｖｏｕｔのシフトにより非ＳＥＵ効果を検出することができる。] 図５Ａ 図５Ｂ
[0050] 図５Ｂでは、曲線は、閾値電圧の減少（すなわち、左側へのシフト）につながる非ＳＥＵを示している。非ＳＥＵ効果は、閾値電圧の増加（すなわち、曲線の右側へのシフト）であり得る。閾値電圧がどの方向にシフトするかは、合計放射線量による。ＮＭＯＳトランジスタでは、合計放射線量が、インターフェイス捕捉電荷を支配するように酸化物捕捉電荷を生じさせるのに十分高い場合に、閾値電圧は減少し、インターフェイス捕捉電荷が酸化物捕捉電荷を支配する場合に、閾値電圧が増加する。ＰＭＯＳトランジスタでは、閾値電圧は、酸化物捕捉電荷またはインターフェイス捕捉電荷のどちらが支配しているかに関わらず、減少する。] 図５Ｂ
[0051] テスト・トランジスタの動作パラメータを監視するために、デジタル・アナログ（Ｄ／Ａ）変換器を使用して、Ｖｉｎを傾斜させることができる。大きなデジタル値が、Ｖｉｎに対する傾斜アナログ電圧を生成するために、（例えば、コントローラ回路４１５によって）Ｄ／Ａ変換器の入力に与えられる。テスト・トランジスタの得られるＶｏｕｔは、Ａ／Ｄ変換器を使用して監視することができる。ＶｉｎでのＤ／Ａ変換器、およびＶｏｕｔでのＡ／Ｄ変換器により、図５Ｂに示したようなＶＩ動作曲線が図４のＩＭＤ４００によって生成することが可能になる。] 図４ 図５Ｂ
[0052] いくつかの実施例では、ＩＭＤ４００は、イオン化放射線露出センサ４１０とコントローラ回路４１５とに信号伝達可能に結合された比較回路４２０を備えている。比較回路４２０は、動作曲線の１つまたは複数の値を１つまたは複数の動作曲線閾値と比較し、動作曲線値が動作曲線閾値を超えてシフトした場合に、コントローラ回路４１５に指標（例えば、その出力でのデジタル論理レベルの変化）を与える。いくつかの実施例では、比較の際に自己参照が使用される。自己参照の一実施例では、コントローラ回路４１５は、植込み前時間などの、特定の時点でレジスタまたはメモリ領域内に１つまたは複数の動作曲線値を記憶する。比較回路４２０は、電流監視動作曲線値が特定の閾値を超えるだけ記憶された値と異なる場合に指標を与える。]
[0053] いくつかの実施例では、図５Ａの回路は、コントローラ回路４１５の指示の際に、傾斜テスト電圧を発達させるように、放射線硬化専用ハードウェアとともに使用することができる。固定比較器レベルは、Ａ／Ｄ変換器などの放射線感受性パルス発生器ハードウェアを使用することなく、量子化されたパラメータ閾値シフトを検出するために使用することができる。] 図５Ａ
[0054] コントローラ回路４１５は、比較回路４２０が放射線への露出後にテスト・トランジスタの動作曲線のシフトを示す場合に、ＩＭＤ４００の動作を変更する。ＩＭＤ４００の動作の変更の一実施例としては、ソリッド・ステート電子回路４０５の使用に関連する、ＩＭＤ４００の特性を停止させることが挙げられる。いくつかの実施例では、ＩＭＤ４００は、コントローラ回路４１５と一体的である、またはこれに信号伝達可能に結合されたメモリ４２５を備えている。メモリ４２５は、リード・オンリ・メモリ（ＲＯＭ）領域を含んでいる。非ＳＥＵ効果の指標が比較回路から受けられた場合、コントローラ回路４１５はその後、コントローラ回路４１５がＲＯＭ内に含まれているプログラム指示のみを実行するであるモードに、装置を移行させることができる。特定の実施例では、ＲＯＭ内の指示は、小さなデバイス機能（例えば安全モード）を提供するデバイス故障モードを実施する。]
[0055] 非ＳＥＵ効果に応じてＩＭＤ４００の動作を変更する別の実施例としては、完全機能プログラム実行のために使用されるマイクロプロセッサを停止させること、および小さな機能を提供するコントローラ回路４１５内の専用ハードウェアを作動させることが挙げられる。小さな機能は、電気的除細動／除細動ショック治療および／またはサポート・ペーシングを含むことができる。システム故障がある状態で貧脈性不整脈ショック治療を行い続けるデバイスおよび方法の説明が、米国特許出願公開第２００６０２５３１５８号（２００５年５月５日出願、スタッブスら（Ｓｔｕｂｂｓ ｅｔ ａｌ．）、「Ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ Ｔａｃｈｙａｒｒｈｙｔｈｍｉａ
Ｔｈｅｒａｐｙ ｂｙ ａｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｂｌｅ Ｄｅｖｉｃｅ ｉｎ Ｐｒｅｓｅｎｃｅ ｏｆ Ｓｙｓｔｅｍ Ｆａｕｌｔｓ」）に記載され、その全体を本明細書に援用する。システム故障のある状態で、サポート・ペーシング治療を行い続けるデバイスおよび方法の説明が、米国特許出願公開第２００６０２５３００９号（２００５年５月５日出願、スタッブスら（Ｓｔｕｂｂｓ ｅｔ ａｌ．）、「Ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ Ｂｒａｄｙｃａｒｄｉａ Ｔｈｅｒａｐｙ ｂｙ ａｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｂｌｅ Ｄｅｖｉｃｅ ｉｎ Ｐｒｅｓｅｎｃｅ ｏｆ Ｓｙｓｔｅｍ Ｆａｕｌｔｓ」）に記載され、その全体を本明細書に援用する。]
[0056] いくつかの実施例では、イオン化放射線露出センサ４１０は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）などのテスト電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含んでおり、比較回路４２０は、テストＭＯＳＦＥＴに印加される特定のゲート・ソース電圧に対するドレイン・ソース電流のシフトを示す。]
[0057] いくつかの実施例では、イオン化放射線露出センサ４１０は、ＰＮ接合ダイオードまたはショットキー接合ダイオードなどのテスト接合ダイオードを備えている。比較回路４２０は、テスト接合ダイオードの動作曲線がシフトした場合に、コントローラ回路４１５に指標を与える。コントローラ回路４１５は、比較回路４２０が放射線に対する露出後に、テスト接合ダイオードの動作曲線のシフトを示す場合に、ＩＭＤ４００の動作を変更するように構成することができる。]
[0058] いくつかの実施例では、イオン化放射線露出センサ４１０は、バイポーラ接合トランジスタを含むテスト増幅回路を含んでいる。増幅回路の動作を監視するために、特定の入力信号が増幅入力に与えられ、出力信号が信号ゲインを判断するために監視される。ＮＭＯＳ回路と同様に、入力信号はＤ／Ａ変換器によって与えることができ、出力信号はＡ／Ｄ変換器を使用して監視することができる。比較回路は、テスト増幅回路の信号ゲインにシフトがある場合に、指標を与える。コントローラ回路４１５は、比較回路４２０が放射線への露出後に、テスト増幅回路の信号ゲインのシフトを示した場合に、ＩＭＤ４００の動作を変更する。]
[0059] 図５Ａのテスト・トランジスタ回路は、イオン化放射線蓄積露出センサの一実施例である。イオン化放射線蓄積露出センサは、イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の蓄積露出による、ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成する。図５Ａのセンサでは、指標はＶｏｕｔでのシフトである。このタイプのセンサは、線量計と呼ぶこともできる。] 図５Ａ
[0060] 別のタイプの適切なイオン化放射線露出センサは、線量率センサである。このタイプのセンサは、ソリッド・ステート回路が所定の流束イオン化放射線閾値を超える流束イオン化放射線に露出された場合などに、高い流束イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の露出によるソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成する。イオン化放射線量率センサは、流束メータと呼ぶこともできる。]
[0061] 図６は、光ダイオードまたは接合ダイオードなどの、ダイオード６０５を含むイオン化放射線量率センサ６００の一実施例を示している。イオン化放射線への露出中に、ダイオード６０５は、レジスタ６１０にわたって測定可能な電圧Ｖｏｕｔを生成する電流を作り出す。イオン化放射線への露出の指標は、Ｖｏｕｔが特定の電圧閾値を超えたときであり得る。] 図６
[0062] 図７は、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）７０５を含むイオン化放射線量率センサの別の実施例を示している。ＢＪＴのベースは浮動（ｆｌｏａｔｉｎｇ）であり、イオン化放射線がベース生成電子正孔対に入射するように配置されている。電子正孔対は、レジスタ７１０にわたって測定可能な電圧Ｖｏｕｔを生成するコレクタ電流に対してエミッタを作り出す。] 図７
[0063] テスト回路はまた、イオン化放射線の影響を受けやすいことに留意すべきである。テスト回路を設計し、非ＳＥＵ効果を判断する適当な閾値シフトを選択する場合に、この感受性を念頭に置くべきである。いくつかの実施例では、図４のイオン化放射線露出センサ４１０は、イオン化放射線蓄積露出センサおよびイオン化放射線量率センサの両方を備えている。コントローラ回路４１５は、放射線量率センサが高い流束放射線を示す場合に、イオン化放射線蓄積露出センサによる指標を空白にする。これにより、検出された高い流束放射線中に、イオン化放射線蓄積露出センサからの誤った指標の可能性が低くなる。] 図４
[0064] いくつかの実施例では、ソリッド・ステート電子回路４０５はＩＣである。ＩＣは、多機能ＩＣであり得る。イオン化放射線露出センサ４１０は、ＩＣの少なくとも１つの動作パラメータを監視し、ＩＣの第１の動作パラメータのシフトを示す。コントローラ回路４１５は、第１の動作パラメータのシフトに対応するために、ＩＣの第２の動作パラメータを変更する。例示的な実施例として、第１の動作パラメータが１つまたは複数のトランジスタの動作曲線である場合、コントローラ回路４１５は、電圧供給を少なくする、またはトランジスタに対する異なる供給電圧に切り換えることなどによって、トランジスタに対する供給電圧を変更することができる。電圧供給が変化すると、コントローラ回路４１５は、調節された供給電圧に基づいてＩＭＤ電池の寿命を再計算することができる。]
[0065] 別の実施例では、第１の動作パラメータがトランジスタの動作曲線である場合、コントローラ回路４１５は、トランジスタからの信号出力に対する検出閾値（例えば、比較器閾値）を変更することができる。さらに別の実施例では、第１の動作パラメータが増幅器の信号ゲインである場合、専用内蔵キャリブレーション・ハードウェアを使用して、任意の失われた信号ゲインを回復させるために、１つまたは複数の増幅器を再キャリブレーションすることができる。]
[0066] いくつかの実施例では、ＩＭＤ４００は、ＩＭＤ４００の複数の異なる位置に配置された複数のソリッド・ステート電子回路を含んでいる。各位置は、別の位置でソリッド・ステート電子回路から異なる機能を行うソリッド・ステート電子回路を含むことができる。ＩＭＤ４００はまた、各位置で少なくとも１つのイオン化放射線露出センサ４１０とともに、異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサを備えている。コントローラ回路４１５は、イオン化放射線露出センサ４１０が機能に対応した位置でソリッド・ステート電子回路４０５に対する永久的非ＳＥＵ効果を示している場合に、装置の機能を停止させる。]
[0067] 放射線治療は、全方向性（例えば、放射性ソリッド・ソース）であってもよく、または特定の方向および放射線パターン（例えば、直線加速器からのビーム）を有することができる。ビーム源からのイオン化放射線では、放射線監視構造および／または回路の適切な配向は、検出を保証するのに有用である。ＩＭＤ４００と透過放射線の間の空間的関係は
、放射線治療のタイプ、患者配向、ＩＭＤ配向、およびＩＭＤ内の放射線モニタ構造配向による。いくつかの実施例では、ＩＭＤ４００は、複数のイオン化放射線露出センサを備えている。イオン化放射線露出センサは、様々な配向のイオン化放射線に対する露出を検出するように、様々な配向で配置されている。]
[0068] 特定の実施例では、イオン化放射線露出センサは、その経路（ｃｈａｎｎｅｌｓ）が方向的範囲を与えるように互いに垂直であるように配向させることができるＭＯＳトランジスタを備えている。特定の実施例では、イオン化放射線露出センサは、ＭＯＳトランジスタと、ＭＯＳトランジスタ内の寄生ダイオードからの漏電電流を測定する監視回路とを備えている。監視回路は、寄生ソース本体またはドレイン本体ダイオードからの漏電電流に加えて、ソース・ドレイン漏電電流の両方を測定する。ソース・ドレイン電流を測定することにより、第１の軸方向（ＩＣに対する横軸）内のデバイス監視を行い、ソース本体またはドレイン本体寄生ダイオードからの漏電電流を監視することにより、第２の軸方向（ＩＣに対する垂直軸）のデバイス監視が行われる。この概念は、トランジスタを互いに横向きに旋回させることによって、第３の軸方向の監視が行われるように拡張することができる。弱反転でＭＯＳトランジスタを動作することにより、イオン化放射線に対する感度が大きくなる可能性がある。]
[0069] 典型的には、ＩＭＤ４００内の回路の全ては、ほぼ同じ合計放射線量に曝される。しかし、ＩＭＤ４００内の多数の監視回路の使用により、イオン化放射線の効果の包括的監視を行うことができる。ＩＭＤ内のソリッド・ステート電子回路は、同様の量の放射線と異なるように反応する異なる構造を有することができる。いくつかの実施例では、ＩＭＤ４００は、装置内の複数の異なる位置に配置された複数のソリッド・ステート電子回路と、異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えている。いくつかの実施例では、複数のソリッド・ステート電子回路は、複数のＩＣを備えている。各ＩＣは、コントローラ回路４１５に信号伝達可能に結合されたイオン化放射線露出センサを備えている。ＩＣのいくつかは、異なるＩＣ方法を使用して製造することができる。]
[0070] イオン化放射線露出センサは、１つまたは複数のソリッド・ステート回路の異なる動作パラメータを監視するために、異なる回路構造を含むことができる。コントローラ回路４１５は、異なる監視動作パラメータを使用して、ソリッド・ステート電子回路への影響を定量化する。]
[0071] イオン化放射線露出センサ内で使用することができる回路の包括的ではない一覧としては、ＰＮ接合ダイオード・テスト回路、ショットキー接合ダイオード・テスト回路、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴテスト回路、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴテスト回路、ＮＰＮバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路、およびＰＮＰバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路が挙げられる。電荷を測定する他の回路および技術を使用することもできる。監視回路は、イオン化放射線に対する露出による、ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成する。コントローラ回路４１５は、監視回路の動作曲線のシフトを判断することなどによって、監視回路によって与えられる指標からソリッド・ステート電子回路への影響を定量化する。コントローラ回路４１５は、指標にしたがってＩＭＤ４００の動作を変更することができる。]
[0072] 図８は、ＩＭＤ８００の一部分の別の実施形態のブロック図である。ＩＭＤ８００は、ソリッド・ステート電子回路８０５と、イオン化放射線露出センサ８１０と、コントローラ回路８１５とを備えている。ＩＭＤ８００は、ＣＦＭデバイスであり、治療回路８３０を備えている。いくつかの実施例では、治療回路８３０は、植込み型電極を介してペーシング治療を行う。非ＳＥＵ効果の指標を受けた場合、コントローラ回路８１５は、Ｖ−Ｖ間隔が心房イベントによる心室のペーシングを調節することなく、特定の心室間隔を超え
る場合に、心室にペーシング治療を行うモードにＩＭＤ８００を移行させ、心室内で起こる任意の固有の心臓脱分極イベント（例えば、ＮＡＳＰＥ／ＢＰＥＧ規定ＶＯＯモード）に関連することなくペーシング治療を行う。いくつかの実施例では、コントローラ回路８１５は、非ＳＥＵ効果の指標を受けた場合に、治療キャリブレーション値を調節する。] 図８
[0073] いくつかの実施例では、ＩＭＤ８００は、コントローラ回路８１５に信号伝達可能に結合されたリセット回路８３５を備えている。リセット回路８３５は、ＩＭＤ８００に体系的リセットを行い、ＩＭＤ８００が系統的な方法で知られている状態にされることが確実になる。コントローラ回路８１５は、非ＳＥＵ効果の指標にしたがって、デバイス・リセットを開始する。特定の実施例では、リセット回路８３５は順次、ソリッド・ステート電子回路の電源を切り、その後電源を入れる。これは、いくつかの過渡的な非ＳＥＵイベントを解消することができる。例えば、ソリッド・ステート電子回路への電力供給をリセットすることにより、ＣＭＯＳデバイスのラッチアップ状態を解消することができる。]
[0074] いくつかの実施例では、ＩＭＤ８００は、外部ユニットまたはシステムと通信する通信回路８４０を備えている。コントローラ回路８１５は、非ＳＥＵ効果の指標をメモリに記憶し、非ＳＥＵ効果の指標を外部ユニットに通信する。いくつかの実施例では、非ＳＥＵイベントの指標は、ＩＭＤ８００のメモリ内にログとして記憶される。ログ入力は、コントローラ回路８１５が非ＳＥＵ効果の指標または他の文脈情報を受けた日時を含むことができる。ＩＭＤメモリからログを読み出し、非ＳＥＵ効果に関する履歴データを外部デバイスに通信することによって、ＩＭＤ８００をトラブルシューティングするのを助けることができる。]
[0075] いくつかの実施例では、ＩＭＤ８００は、１つまたは複数の感知特性を含んでおり、イオン化放射線露出センサ８１０は、イオン化放射線量率センサである。感知特性の一実施例は、心臓信号感知回路８４５である。心臓信号感知回路８４５は、固有の心臓信号を代表する電気信号を与える。コントローラ回路８１５は、イオン化放射線量率センサが高い流束イオン化放射線を検出する場合に、ＩＭＤ８００の１つまたは複数の感知特性を空白にする。感知特性を空白にすることは、感知した信号を無視すること、または信号を与える回路を切断または有効にすることを含むことができる。特定の実施例では、ブランキングは、イオン化放射線蓄積露出センサのブランキングを含んでいる。特定の実施例では、感知特性のブランキングは、外部デバイスによってＩＭＤ８００のプログラミングにより行われる。]
[0076] 上記の詳細な説明は、詳細な説明の一部を形成する、添付の図面への参照を含んでいる。図面は、例として、本発明を実施することができる特定の実施形態を示している。これらの実施形態はまた、本明細書では「実施例」と呼ばれる。本文献で参照される全ての刊行物、特許および特許文献は、個別に参照として援用されるように、その全体を本明細書に援用する。本文献と援用するこれらの文献の間で使用法が矛盾している場合は、（１つまたは複数の）援用での使用法は、本文献の使用法に対する補助的なものであると考えるべきであり、妥協できない矛盾については、本文献の使用法が支配する。]
[0077] 本文献では、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」の任意の例または用途とは別に、１つまたは複数を含むように、特許文献で普通であるように、「ａ」または「ａｎ」という用語が使用されている。本文献では、「ｏｒ（または）」という用語は、非排他的なものに言及するように、またはそうでないと示されていない限り、「ＡまたはＢ」が「ＢではなくＡ」、「ＡではなくＢ」、および「ＡおよびＢ」を含むように使用される。添付の特許請求の範囲では、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ（含む）」および「ｉｎ ｗｈｉｃｈ」という用語は、それぞれ「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ（備える）」および「ｗｈｅｒｅｉｎ」という用語の分かりやすい英語の相当語として使用される。また、以下の特許請求
の範囲では、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ」および「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ」という用語はオープンエンドであり、すなわち、特許請求の範囲内でこのような用語の後に挙げられたものに加えて要素を含むシステム、デバイス、物体または方法はさらに、その特許請求の範囲内に含まれるとみなされる。さらに、以下の特許請求の範囲では、「第１の」、「第２の」および「第３」のなどの用語は、単にラベルとして使用されるものであり、対象に数字的要件を課すことを意図したものではない。]
[0078] 本明細書に記載した方法実施例は、少なくとも部分的に機械またはコンピュータ実施することができる。いくつかの実施例は、上記実施例で記載されたような方法を行うように電子デバイスを構成するように動作可能な指示で符号化された、コンピュータ読取り可能な媒体または機械読取り可能な媒体を含むことができる。このような方法の実施としては、マイクロコードなどのコード、アセンブリ言語コード、より高レベルの言語コードなどを挙げることができる。このようなコードは、様々な方法を行うためのコンピュータ読取り可能な指示を含むことができる。コードは、コンピュータ・プログラム製品の一部分を形成することができる。さらに、コードは、実行中または他のときに、１つまたは複数の揮発性または不揮発性コンピュータ読取り可能な媒体上に明白に記憶することができる。これらのコンピュータ読取り可能な媒体としては、これに限らないが、ハード・ディスク、リムーバブル磁気ディスク、リムーバブル光ディスク（例えば、コンパクト・ディスクおよびデジタル・ビデオ・ディスク）、磁気カセット、メモリ・カードまたはスティック、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、リード・オンリ・メモリ（ＲＯＭ）などを挙げることができる。]
[0079] 上記説明は、例示的なものを意図したものであり、限定的なものを意図したものではない。例えば、上記実施例（または、その１つまたは複数の態様）は、互いに組み合わせて使用することができる。他の実施形態は、上記説明を検討して、当業者などによって使用することができる。要約書は、読者が技術的開示の性質を迅速に解明することを可能にするように、特許法施行規則§１．７２（ｂ）を満たすように与えられる。特許請求の範囲の範囲または意味を解釈または制限するために使用されないということを理解されたい。また、上記詳細な説明では、様々な特性は本開示を効率化するために互いにグループ化することができる。これは、請求されていない開示された特性が任意の特許請求の範囲に重要であるということを意図していると解釈すべきではない。むしろ、本発明の主題は、特定の開示した実施形態の全ての特性に満たないものである可能性がある。したがって、以下の特許請求の範囲はここで、詳細な説明に組み込まれ、各特許請求の範囲は別個の実施形態として独自に主張するものである。本発明の範囲は、このような特許請求の範囲に権利を与える同等物の完全な範囲と共に、添付の特許請求を参照して判断するべきものである。]

权利要求:

請求項1
ソリッド・ステート電子回路と、センサであって、イオン化放射線への該ソリッド・ステート電子回路の露出を検出し、該イオン化放射線への露出による該ソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット（非ＳＥＵ）効果の指標を生成するように構成されている前記センサとを備えた、植込み型医療用装置。
請求項2
前記イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合されたコントローラ回路を備えた装置であって、該コントローラ回路は、イオン化放射線露出センサによって生成された指標から前記ソリッド・ステート電子回路への効果を定量化するように構成されている、請求項１に記載の装置。
請求項3
前記コントローラ回路は、前記非ＳＥＵ効果の前記指標にしたがって、前記装置の動作を変更するように構成されている、請求項２に記載の装置。
請求項4
前記装置内の複数の異なる位置で異なる機能を行うように構成された複数のソリッド・ステート電子回路と、異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えており、前記コントローラ回路は、イオン化放射線露出センサが、該機能に対応する位置での該ソリッド・ステート電子回路への永久的な非ＳＥＵ効果を示す場合、前記装置の機能を抑制または停止するように構成されている、請求項２に記載の装置。
請求項5
前記イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合された比較回路と、前記コントローラ回路とを備えた装置であって、前記イオン化放射線露出センサはテスト・トランジスタを備えており、前記コントローラ回路は、該比較回路が放射線への露出後に、該テスト・トランジスタの動作曲線のシフトを示した場合、前記装置の動作を変更するように構成されている、請求項２〜４のいずれか１項に記載の装置。
請求項6
前記テスト・トランジスタは、テスト電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を備えており、前記比較回路は、該テストＦＥＴに印加される特定のゲート・ソース電圧に対するドレイン・ソース電流のシフトを示すように構成されている、請求項５に記載の装置。
請求項7
前記イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合された比較回路と、前記コントローラ回路とを備えた装置であって、前記イオン化放射線露出センサはテスト接合ダイオードを備えており、前記コントローラ回路は、該比較回路が放射線への露出後に、該テスト接合ダイオードの動作曲線のシフトを示した場合、前記装置の動作を変更するように構成されている、請求項２〜４のいずれか１項に記載の装置。
請求項8
前記イオン化放射線露出センサは、バイポーラ接合トランジスタを含むテスト増幅回路を備えており、前記比較回路は、該増幅回路に加えられる特定の入力信号に対する該テスト増幅回路の信号ゲインのシフトを示すように構成されている、請求項７に記載の装置。
請求項9
前記装置内の複数の異なる位置に配置された複数のソリッド・ステート電子回路と、該異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えた装置であって、該イオン化放射線露出センサは、異なる動作パラメータを監視するために異なる回路構造を備えており、前記コントローラ回路は、該監視される異なる動作パラメータを使用して、ソリッド・ステート電子回路への効果を定量化するように構成されている、請求項２〜８のいずれか１項に記載の装置。
請求項10
前記放射線露出センサは、ＰＮ接合ダイオード・テスト回路、ショットキー接合ダイオード・テスト回路、Ｎ型ＦＥＴテスト回路、Ｐ型ＦＥＴテスト回路、ＮＰＮバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路、およびＰＮＰバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路の少なくとも１つを備えている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
請求項11
前記センサはイオン化放射線蓄積露出センサを備えており、イオン化放射線への前記ソリッド・ステート電子回路の蓄積露出による、前記ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成するように構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
請求項12
前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたイオン化放射線量率センサを備えた装置であって、前記コントローラ回路は、流束イオン化放射線が流束イオン化放射線閾値を超えたことを該放射線量率センサが示した場合に、前記イオン化放射線蓄積露出センサからの指標を空白にするように構成されている、請求項１１に記載の装置。
請求項13
前記センサは、流束イオン化放射線閾値を超えた流束イオン化放射線への前記ソリッド・ステート電子回路の露出による前記ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成するように構成されたイオン化放射線量率センサである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
請求項14
心機能管理（ＣＦＭ）デバイスを備えた装置であって、前記コントローラ回路は、前記イオン化放射線量率センサが高い流束イオン化放射線を検出した場合に、該ＣＦＭデバイスの任意の感知特性を空白にするように構成されている、請求項１３に記載の装置。
請求項15
前記イオン化放射線量率センサは、接合ダイオードまたはバイポーラ接合トランジスタの少なくとも一方を備えている、請求項１３または１４に記載の装置。
請求項16
ＣＦＭデバイスである装置であって、前記コントローラ回路は、前記非ＳＥＵ効果の前記指標にしたがって、Ｖ−Ｖ間隔が心房イベントによる心室のペーシングを調節することなく、特定の心室間隔を超えた場合に心室にペーシング治療を行い、心室に起こる真性心臓脱分極イベントに関係なくペーシング治療を行うモードにＣＦＭデバイスを移行するように構成されている、請求項２〜１５のいずれか１項に記載の装置。
請求項17
前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたリード・オンリ・メモリ（ＲＯＭ）を備えた装置であって、前記コントローラ回路は、前記非ＳＥＵ効果の前記指標にしたがって、前記コントローラ回路が前記ＲＯＭ内に含まれたプログラム指示のみを行うモードに前記装置を移行するように構成されている、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の装置。
請求項18
前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたリセット回路を備えた装置であって、前記コントローラ回路は非ＳＥＵ効果の指標にしたがって、前記装置へのリセットを開始するように構成されている、請求項２〜１７のいずれか１項に記載の装置。
請求項19
前記ソリッド・ステート電子回路は、集積回路（ＩＣ）を備えており、前記イオン化放射線露出センサは、該ＩＣの第１の動作パラメータのシフトを指標するように構成されており、前記コントローラ回路は、該第１の動作パラメータのシフトに対応するように、該ＩＣの第２の動作パラメータを変更するように構成されている、請求項２〜４，１０〜１８のいずれか１項に記載の装置。
請求項20
複数の集積回路（ＩＣ）を備えた装置であって、各ＩＣは前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたイオン化放射線露出センサを備えており、該ＩＣは異なるＩＣ工程を使用して製造される、請求項２〜１９のいずれか１項に記載の装置。
請求項21
前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合され、前記非ＳＥＵ効果の指標を記憶するように構成されたメモリと、前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合され、外部ユニットと通信するように構成された通信回路とを備えた装置であって、前記コントローラ回路は、該外部ユニットに対する前記非ＳＥＵ効果の該指標を通信するように構成されている、請求項２〜２０のいずれか１項に記載の装置。
請求項22
複数のイオン化放射線露出センサを備えた装置であって、該イオン化放射線露出センサは、様々な配向のイオン化放射線に対する露出を検出するように、様々な配向で配置されている、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の装置。
請求項23
前記植込み型医療用装置は、ＣＦＭデバイス、神経刺激デバイス、薬物送達デバイス、または診断デバイスの少なくとも１つに含まれる、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の装置。
請求項24
イオン化放射線に対する植込み型医療用デバイスのソリッド・ステート電子回路の露出を検出する工程と、該イオン化放射線への露出による該ソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット（非ＳＥＵ）効果の指標を生成する工程とを含む方法。
請求項25
イオン化放射線への露出を検出する工程は、前記イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の蓄積露出による、前記ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の前記指標を生成するイオン化放射線蓄積露出センサを使用して、露出を検出する工程を含んでいる、請求項２４に記載の方法。
請求項26
イオン化放射線への露出を検出する工程は、前記ソリッド・ステート電子回路が流束イオン化放射線閾値を超えた流束イオン化放射線に曝された場合に、前記ソリッド・ステート電子回路への非ＳＥＵ効果の指標を生成するイオン化放射線量率センサを使用して露出を検出する工程を含んでいる、請求項２４に記載の方法。
請求項27
外部デバイスへの非ＳＥＵ効果に関する履歴データを通信する工程を含んでいる、請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の方法。
請求項28
前記ソリッド・ステート電子回路への前記非ＳＥＵ効果の前記指標にしたがって、前記ＩＭＤの動作を変更する工程を含んでいる、請求項２４〜２７のいずれか１項に記載の方法。